RCA實驗室在1985年報道了在高導熱陶瓷BeO基板上采用薄膜工藝制造的T/R組件(3)，尺寸為7.0cm×9.0cm×1.6cm，工作頻率16.0~16.5GHz，峰值功率3.9~4.4 W，電壓調諧范圍2.5~2.9，噪聲系數5dB。

　　在半導體硅材料上，采用薄膜多層技術制造T/R組件的優點是可以和半導體技術兼容，可以集成有源芯片、無源器件，組件可以做的很小、并且能夠大批量生產;缺點是由于硅材料導熱率低，在需要高功率或高Q值的場合，高導熱的氮化鋁、氧化鈹陶瓷更有優勢。圖5是美國辛西納底大學研制的薄膜多層發射模塊示意圖，它是在硅基片上，用Dupont公司的聚酰亞胺做介質(每層介質厚度9~15μm)，用Ti-Au-Ti或Cr-Au-Cr做導帶(Au厚度2~3μm)，制作的4層金屬、3層介質的多層互連結構。

　　傳統的在陶瓷基板實施薄膜工藝相比，薄膜技術在T/R組件的應用有兩個明顯的新的趨勢，一是，在高導熱的金屬、合金、復合材料( Al/SiC)上采用多層薄膜工藝，制造T/R組件，提高了組件耐功率性能，并且利于封裝;還可根據設計需要把芯片貼裝在表面的凹腔內，減短了金絲鍵合的長度或者不用鍵合，減小了或克服了寄生效應，改善組件性能;二是在其他多層基板(如HTCC或LTCC)上，實施薄膜工藝制造T/R組件，充分發揮HTCC或LTCC易實現多層及埋置無源器件的優點以及薄膜工藝高精度、低損耗的優點，對減小T/R組件基板尺寸、改善組件的電性能和熱性能有重要意義。