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            單層芯片電容的制備方法

            單層芯片電容的制備方法

            • 分類:技術支持
            • 作者:
            • 來源:
            • 發布時間:2021-08-20
            • 訪問量:0

            【概要描述】單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。

            單層芯片電容的制備方法

            【概要描述】單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。

            • 分類:技術支持
            • 作者:
            • 來源:
            • 發布時間:2021-08-20
            • 訪問量:0
            詳情

              單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。隨著科學技術的不斷進步,對于單層芯片電容的質量可靠性提出了更高的要求。目前,用普通方法制備的單層芯片電容普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷。特別是在制備過程中,陶瓷制備氣孔缺陷、陶瓷金屬化過程附著力小和切割過程帶來基體機械損傷等缺陷,嚴重影響了產品的可靠性,難以滿足客戶的需求。

              將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈;將陶瓷基片放入洗片盒子中,用無水酒精進行清洗。超聲波電壓調為150±50V,清洗時間為20±2min,之后用棉簽輕輕擦拭陶瓷基片;再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑(濃度為5%)清洗,超聲波輸出電壓調150±50V,清洗時間為20±2min,必須浸沒所有基片;最后,用去離子水清洗20±2min,在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗完畢后,將基片取出。

              將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上,設置主軸的轉速和切割速度進行切割。其中,主軸轉速設置為26000~34000轉/分,切割速度設置為0.3~0.8mm/s;切割時先進行小樣切割,依據小樣產品電性能進行切割尺寸參數調整,提高產品的命中率。切割后剔除邊角料;用酒精脫水,采用70℃~150℃的溫度,烘干時間設置為30min。

              在陶瓷金屬化過程中,采用全濺射方式,減少了電鍍工序帶來的影響。

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            發布時間:2020-12-07 18:30:37

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